寒川诚二：Atomic layer defect-free top-down processing for future nano-devices

报告内容：Atomic layer defect-free top-down processing for future nano-devices

报告人：寒川诚二

报告时间：2018年 8月 22日（周三） 10:30

报告地点：行政楼912

报告人简介:

寒川诚二，日本人，任职于东北大学，流体科学研究所，绿色纳米实验室教授，博士毕业于庆应义塾大学，曾在日本电气株式会社（NEC）工作。寒川教授课题组主要从事等离子体物理、微纳电子加工及半导体器件材料的相关研究，其独有的中性粒子束刻蚀技术在国际上有相当的影响力。近年来发表论文259篇，其中很多发表于Nature Communications，Carbon，Physical review，Applied Physics Letters，Nanotechnology等高水平期刊。另主编、联合编写著作24部，内容主要涉及半导体加工的物理、化学原理等。寒川教授活跃于日本应用物理学会和电气学会，在等离子体、电子加工相关分会担任职务，日本在低温等离子体及微电子加工领域处于世界领先水平，因此其学会相关分会在国际上具有很大的专业影响力。同时寒川教授在美国物理学会下，真空学会一直担任职务，该学会下属期刊真空《Vacuum》等在工学期刊中属于有影响力的刊物。