田瑾，电子电气工程学院电学基础教研室党支部书记，副教授。西安电子科技大学工学博士。中共党员。
从事专业：电磁场与微波技术
电话：021-67791129邮箱：jintian0120@foxmail.com
研究方向：计算电磁学，异构并行计算， 特高压线路检测
近三年主要成果：
一、代表性课题：
1.“面向电磁应用的CPU/GPU异构系统存储及架构优化”，上海市自然科学基金，2015.01-2017.12.
2.“高校科技国际化的全球趋势及对我国的启示”，华东师范大学智库成果培育项目，2016.11-2017.10.
二、代表性论文：
1.程凯,田瑾,吴飞,汪茹,李洪芹.基于分块存储格式的稀疏线性系统求解优化[J].计算机应用研究,2019,36(11).优先出版
2.汪茹,田瑾（通讯作者）,吴飞,程凯,张振华.一种基于有限元法的超高压输电线路三维电场计算方法[J].电子测量与仪器学报,2019,录用.
3.程凯,田瑾,马瑞琳.基于GPU的高效稀疏矩阵存储格式研究[J].计算机工程,2018,44(08):54-60.
4.Tian J, Wu F, Zeng G and Gong L. A Modified Storage Format for Accelerating SPMV[C]. Proceedings of the Sevenfth International Joint Conference on Computational Sciences and Optimization, 547-550, Beijing, China, 2014.07.04-06.（EI）
5.Tian J, Gao F, Sun X K and Gong L. An efficient column-major ordering format for finite element analysis [C]. Proceedings of the Sevenfth International Joint Conference on Computational Sciences and Optimization, 562-565, Beijing, China, 2014.07.04-06.（EI）
6.Tian J, Gong L, Wu F, Zeng G H. An Efficient Gpu Acceleration Format for Finite Element Analysis[J]. Journal of Electronics(China), 30(6): 1-10, 2013.（Scopus）
7.Tian J, Gong L, Wu F, Zou R and Guohui Zeng. The Storage Formats for Accelerating SMVP on A GPU[C]. Proceedings of the Forth International Conference on Business Intelligence and Financial Engineering, 513-516, Hangzhou, China, 2013.11.14-16.（EI）
8.Tian J, Gong L. Novel Pre-treatment for Inhomogeneous Dielectric Media in Finite Element Analysis[C]. Proceedings of the Fifth International Joint Conference on Computational Sciences and Optimization, 699-701, Harbin, China, 2012.06.24-26.（EI）
9.田瑾,龚利,史小卫,徐乐.一种用于计算矢量有限元方程组的不完全分解预处理方法[J].重庆邮电大学学报(自然科学版), 24(03), 349-353, 2012.
10.龚利,田瑾*（通讯作者）.我国能源补贴对能源结构的影响效应研究[J].华东经济管理, 28(04), 50-53, 2014.
11.龚利,田瑾*（通讯作者）.碳减排政策的影响效应研究综述[J].华东经济管理, 27(07), 160-163, 2013.
12.Gong L, Tian J*（通讯作者）. Model for Renegotiation in Infrastructure Projects with Government Guarantee[C]. Proceedings of the Fifth International Conference on Business Intelligence and Financial Engineering, 646-648, Lanzhou, China, 8, 18-21, 2012.（EI）
